RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2267
3702
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link