Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB против Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 61

Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.4 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 6.4

Среднее значение в тестах

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 61
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 8.2
Скорость записи, Гб/сек

9.4 6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2267 1813

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB

Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

модули RAM