RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston 9905665-011.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
104
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.7
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1439
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link