RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
72
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
72
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
1817
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link