RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
72
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1817
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link