RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
104
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.7
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1439
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link