RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2302
2374
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link