RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.2
Скорость записи, Гб/сек
9.1
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2302
2017
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link