RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
30
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
30
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
16.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
3106
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link