RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
52
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
3755
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link