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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,226.4
17.9
写入速度,GB/s
1,479.2
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3755
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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