RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
52
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
3238
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link