RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
52
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2941
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link