G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 52

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.7 1,479.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 33
Скорость чтения, Гб/сек

4,226.4 16.1
Скорость записи, Гб/сек

1,479.2 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

590 3181

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB

модули RAM