RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
52
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.7
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
8.7
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
1999
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link