RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2711
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link