RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
54
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
54
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2938
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link