G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Средняя оценка

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.1

Среднее значение в тестах

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 52

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.9 1,479.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 33
Скорость чтения, Гб/сек

4,226.4 15.1
Скорость записи, Гб/сек

1,479.2 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

590 3224

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Kingston 9965669-025.A00G 8GB

Kingston 9965669-025.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM