RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2594
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link