RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
59
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
59
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2181
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link