RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2666
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link