RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2382
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FK 2GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link