Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 30
    Intorno -15% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.6 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 8500
    Intorno 2.26 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.8 left arrow 11.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1479 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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