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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2382
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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