RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2731
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link