RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2088
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link