RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около -18% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
38
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3206
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link