RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
74
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
74
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1779
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link