RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
74
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
74
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1779
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link