RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3628
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link