RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965600-023.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link