RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link