RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сравнить
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.2
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2072
2179
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link