RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
71
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1767
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link