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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
71
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
71
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
1767
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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