RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
71
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
71
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1767
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link