RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около -15% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
39
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2183
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link