RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3649
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link