RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2938
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link