RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3579
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link