RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3579
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link