RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2849
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link