RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2687
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link