RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2672
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link