RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3206
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link