RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link