RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link