RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3113
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link