RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3113
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1866C10 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link