RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.7
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2855
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link