RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2354
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link